MOS管是什么？

MOS場效應晶體管，通常簡稱場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。與普通雙極晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗低、易于集成等特點，得到了越來越廣泛的應用。場效應晶體管有很多種，主要分為結型場效應晶體管和絕緣柵場效應晶體管，兩者又分為n溝道和p溝道。

mos管是什么原理，起什么作用的？

MOS晶體管的原理:

它使用VGS來控制"感應電荷"來改變由這些"感應電荷"進而達到控制漏極電流的目的。在制造燈管的時候，大量的正離子通過工藝出現在絕緣層中，所以可以在界面的另一側感應出更多的負電荷。這些負電荷連接高滲雜質的N區，形成導電通道。即使在VGS0，也有很大的漏極電流ID。當柵電壓變化時，溝道中感應的電荷量也發生變化，導電溝道的寬度也發生變化，因此漏電流ID隨著柵電壓的變化而變化。

功能:

1.它可以應用于放大器電路。由于MOS晶體管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容可以很小，不需要電解電容。

2.非常高的輸入阻抗非常適合阻抗變換。它常用于多級放大器輸入級的阻抗變換。

3.它可以用作可變電阻。

4.它可以方便地用作恒流源。

5、可作為電子開關使用。

簡介:

Mos晶體管，即集成電路中的絕緣場效應晶體管。它是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管。或者金屬-絕緣體-半導體。MOS晶體管的源漏可以切換，都是在P型背柵中形成的N型區。在大多數情況下，兩個區域是相同的，即使兩端切換，也不會影響器件的性能。這種器件被認為是對稱的。

結構特征:

MOS晶體管的內部結構如下圖所示。導通時，只有一個極性的載流子(多極)參與導通，是單極晶體管。導通機理與小功率MOS管相同，但結構有很大不同。小功率MOS管是橫向導電器件，大部分功率MOSFET采用縱向導電結構，也稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和電流能力。

n溝道mos管

p溝道金屬氧化物半導體晶體管

它的主要特點是在金屬柵和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有較高的輸入電阻。當電子管導通時，在兩個高濃度N擴散區之間形成一個N型導電溝道。N溝道增強型MOS晶體管必須在柵極上正向偏置，只有當柵源電壓大于閾值電壓時，才會有導通溝道產生的N溝道MOS晶體管。n溝道耗盡型MOS晶體管是指沒有柵極的晶體管。當電壓(柵源電壓為零)時，有一個導電溝道產生的N溝道MOS管。